问：硅基光电探测器一般产生的电压是多少伏
- 答：几百毫伏至几千毫伏之间。根据相关资料查询得知，基光电探测器橘困需要加上举册一定的偏正伍宏置电压，才能够正常工作，因此，硅基光电探测器的零偏电压在几百毫伏至几千毫伏之间。
问：常规的硅基光电二极管紫外响应较低,原因是什么
- 答：硅在可见光探测领域是最理想的材料之一，也是紫外光电传感的常用材料携伍。
然而，硅材料对紫外光的响应度较低，这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长370纳米以下，透射深度大于20纳米)，光生载流子主要集中在硅的表面，而传统硅基P-N或P-I-N结型光电探测器件的结深一般大于200nm，载流子复合效应导致光学响应随入射光波长的减小信姿而迅速降低。
超浅P-N或P-I-N结(深度大于20纳米)的制备相当困难，传统方法是采用离子注入和精确控制热扩散工艺滑隐绝来制备浅结，但是在硅表面附近易形成P+N结，高掺杂的P+区域会增加载流子的表面复合，降低光电传感器的响应度。一些新开发的浅结技术(比如δ-掺杂技术或激光掺杂技术)制备工艺相当复杂，导致硅基光电传感器价格变得昂贵。
问：光电探测器
- 答：光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。
此外在生理学方面，是指橘蚂纳在无光照时视网膜视杆细胞的外段膜上有相当数量的Na离子通道处于开放状态，故物渣Na离子进入圆没细胞内，形成一个从内段流向外段的电流，称为暗电流（dark current）。
暗电流是指器件在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电流.(它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流.)
所谓暗电流指的是光伏电池在无光照时，由外电压作用下P-N结内流过的单向电流。
