一、载流金属网格中冷原子的动力学行为（论文文献综述）
庞商政[1]（2021）在《高性能钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅四端叠层电池研究》文中认为钙钛矿光伏材料具有光吸收系数高、载流子迁移率大、激子束缚能低、缺陷容忍度高等突出的光电性质,近十年在光伏领域取得了长足发展,钙钛矿电池（PSCs）的最高认证光电转换效率（PCE）已达到了25.5%,接近单结硅电池的最高实验室PCE（26.7%）。在单结硅电池成本居高不下,并逐渐接近PCE极限（29.4%）的困境下,进一步提高电池PCE面临技术难度大、成本高等巨大挑战。基于此,钙钛矿/硅叠层电池技术是有效利用太阳光谱能量,打破晶硅电池理论PCE极限的重要选择。高效稳定的钙钛矿材料体系及太阳电池和兼具高导电性和高透光性的透明电极是制备钙钛矿/硅叠层电池的重要技术。为了获得高PCE、稳定性好且工艺简单的钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅叠层电池,本论文重点研究了钙钛矿薄膜结晶及形貌调控、电子和空穴传输层的界面修饰及改性等对PSCs光伏性能和稳定性的影响及作用机制。在此基础上,对透明PSCs从理论计算、透明电极工艺制备和器件光学、电学特性进行了研究,并实现了四端钙钛矿/硅叠层电池的制备,得到28.3%的PCE,为同期四端钙钛矿/硅叠层器件最高PCE。具体如下:1.钙钛矿太阳电池电荷传输层调控与改性在ITO/SnO2/perovskite/spiro-OMeTAD/Ag的正向结构PSCs中,通过在SnO2电子传输层（ETL）上旋涂石墨烯量子点（GQDs）,有效改善了PSCs中ETL/钙钛矿层界面能级匹配和载流子复合问题。研究表明,基于SnO2:GQDs ETL的PSCs开路电压(VOC)和短路电流(JSC)分别提升至1.11 V和24.4 m A/cm2,最终的PCE由18.6%提升至21.2%。针对空穴传输层（HTL）spiro-OMeTAD的不稳定问题,将PMMA按一定比例掺入spiro-OMeTAD中,其中掺杂2 mg/m L PMMA的PSCs获得了最优性能,其PCE超过了21%。同时,PMMA的引入大大提高了PSCs的储存稳定性,在25°C、相对湿度30%空气条件下存储80天后,电池仍能保持初始PCE的75%。还进行了无机HTL探索,提出了金属热氧化法制备高质量氧化镍（NiOx）HTL,实现了钙钛矿/阳极间的能级匹配,提高了界面空穴传输与收集效率,基于该方法制备的反向结构钙钛矿电池（FTO/NiOx/perovskite/PCBM/Ag）PCE为18.13%,高于传统溶胶凝胶法NiOx的PSCs（17.33%）,且具有高的稳定性,在空气中存储90天后仍能保留94%的初始PCE。2.钙钛矿光吸收层物性调控首次基于MA+、FA+、Gua+三元混合阳离子对钙钛矿薄膜进行了组分调控。胍盐的引入使得钙钛矿初始成核点减少、结晶时间增加,在结晶过程中Ostwald熟化机制和定向键合生长机制主导了钙钛矿晶粒的生长,使得晶粒尺寸增大。基于三元混合阳离子的钙钛矿薄膜平均晶粒尺寸为0.9μm,最大晶粒尺寸接近1.3μm,远高于MA+、FA+基钙钛矿薄膜晶粒尺寸。增大的晶粒尺寸减少了晶界和内部缺陷,基于Gua0.1（FAMA）0.9Pb IxCl3-x组分的PSCs获得了最高PCE为21.3%。将晶硅电池中的固体源扩散工艺应用于钙钛矿薄膜电池,首次将溴化铯（CsBr）作为固体扩散源,实现了钙钛矿层非对称掺杂。在退火过程中,CsBr逐渐扩散入钙钛矿层,在钙钛矿层垂直结构中形成了梯度分布,空间限制电荷计算（SCLC）得出,CsBr钝化的钙钛矿薄膜缺陷密度由2.81×1015 cm-3降低至2.39×1015 cm-3,最终得到了22.1%的PCE(VOC和JSC为1.15 V和24.5 m A/cm2),居于同期国际领先水平。3.金属/氧化物介质复合透明电极及钙钛矿/硅四端叠层电池研究基于热蒸发工艺制备了超薄金属透明电极（Ag和Au）,引入超薄氧化钼（MoO3）提高了透明金属电极的浸润性,氧化碲（TeO2）提高了其透光率,最终制备出高效稳定的双面透明PSCs。基于ITO/NiOx/perovskite/PEAI/PCBM/Ag/TeO2实现了ITO侧20.96%和金属侧17.36%的PCE,该值目前仍为世界最高记录。同时实现了两侧PCE分别12.42%和10.55%的大面积（1cm2）双面透明PSCs。基于ITO/SnO2/CsBr/perovskite/spiro-OMeTAD/MoO3/Au/MoO3实现了PCE为ITO侧21.4%和Au侧16.5%的半透明钙钛矿电池。针对钙钛矿/硅叠层电池,基于光学传输矩阵法（OTMM）和漂移扩散方程构建了钙钛矿/硅四端叠层太阳电池模型,实现了光子吸收到载流子输运的仿真,得到钙钛矿/硅四端叠层电池理论PCE最高为31.97%。在理论指导下,经过半透明PSCs顶电池遮光,硅底电池保持6.9%的PCE。进一步将半透明PSCs和硅电池进行叠层,实现了四端钙钛矿/硅叠层电池28.3%的PCE,这是目前报道的最高值。
蔡炜[2]（2020）在《印刷氧化锆绝缘层及柔性薄膜晶体管研究》文中研究指明薄膜晶体管（TFT）是目前主流显示技术中的关键器件,其中,栅极绝缘层是薄膜晶体管实现低功耗和高稳定性的核心材料之一。氧化锆（Zr O2）等高介电（High-k）绝缘材料具有高电容和宽禁带的特点,相较于Si Nx和Si Ox等常规绝缘材料,可以有效提高显示单元阵列的密度和性能。传统真空镀膜制备绝缘层存在成本高、效率低的问题,溶液加工法可实现薄膜的直接图形化,适合大面积薄膜制备。本文重点为印刷氧化锆绝缘层薄膜晶体管,开发了绝缘墨水,研究了印刷技术及低温工艺,并实现了柔性晶体管的制备。本论文系统分析了氧化锆绝缘墨水的可印刷性和固化过程中的组分变化,研究了旋涂及喷墨打印绝缘薄膜技术,使用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）有机绝缘材料掺杂提高印刷氧化锆绝缘层的抗弯折性,通过优化前驱体材料及UV辅助热退火工艺实现了绝缘薄膜的低温制备,最终得到柔性TFT器件。主要研究成果如下:（1）研究分析了颗粒型和前驱体型氧化锆墨水的特性,挖掘出适用于制备印刷绝缘薄膜的前驱体型墨水。利用TG/DSC、FTIR和XRD测试手段研究了退火过程中氧化锆墨水固化及致密化过程,发现Zr NO3和Zr OCl2前驱体有利于实现墨水低温成膜。揭示墨水粘度、张力和流变特性与可印刷性的联系,提出墨水的印刷稳定性可用不同温度和不同剪切速率下粘度的稳定性来表征。（2）研究了旋涂和喷墨打印方式中前驱体溶液的物理特性（粘度、张力和浓度）、印刷参数和退火工艺对氧化锆绝缘层及器件的影响。其中,旋涂制备的66nm氧化锆绝缘层器件迁移率10.2cm2/V·s,开关比2.0×105;喷墨打印制备的55nm氧化锆绝缘层器件迁移率12.4cm2/V·s,开关比1.2×106。偏压稳定性研究发现,在5V正偏压下条件下,1小时内喷墨打印氧化锆TFT阈值电压正漂1.3V,旋涂器件为0.4V,证明溶液法绝缘层在显示应用中具有一定的潜力。（3）研究了PVP有机绝缘材料对氧化锆薄膜的改性作用。印刷制备了PVP、PVP掺杂Zr O2和Zr O2/PVP叠层三种栅极绝缘层的TFT器件。研究表明高温退火会破坏PVP分子结构,200℃退火的印刷PVP绝缘层器件迁移率最高,为4.6cm2/V·s,开关比≥105。叠层绝缘层结构由于表面不平整以及更多的界面缺陷,器件漏电流较大,开关比仅为103。而PVP微量掺杂Zr O2可降低绝缘层与有源层界面的缺陷,0.5%PVP掺杂Zr O2绝缘层的器件迁移率8.2cm2/V·s,开关比1.5×105,正偏压应力下Vth正漂0.8V,且迁移率和开关比无明显下降。混合绝缘体系提高了氧化锆薄膜的抗弯折性,为制备柔性器件提供条件。（4）研究了印刷氧化锆的低温工艺,通过优化前驱体材料以及UV辅助热退火工艺提高低温退火绝缘层的可靠性。提出采用μ-PCD测试来分析大面积印刷绝缘薄膜的缺陷和均匀性,优选出以Zr OCl2为前驱体的墨水,在退火温度为200℃的条件下实现了低漏电流密度(5×10-6A/cm2@10V)绝缘薄膜的制备。基于印刷PVP掺杂Zr O2绝缘体系获得了柔性TFT器件,器件在20mm弯曲半径条件下弯折1万次后迁移率保持在5.5cm2/V·s,开关比约为105,关态电流6.1×10-10A,具有一定抗弯折特性,对印刷柔性薄膜晶体管的制备有一定的借鉴意义。
刘云飞[3]（2020）在《应用于有机电致发光器件的复合透明电极的结构设计与性能优化研究》文中进行了进一步梳理在现代信息社会中,信息的获取、储存、处理以至于传输和表达,是决定了信息交流速度,也即是社会发展速度的重要因素。然而,不同于其他信息手段的进一步发展,信息显示受限于人类本身感官所限,一直维持在以声与光为主要表达手段的情况下。在人类通过感官获取的各种信息中,视觉信息占其总量的80%。这也使得显示成为了表达信息最重要的技术手段。当前,显示技术的市场竞争尤为激烈,液晶、有机电致发光、量子点显示与激光投射等显示技术齐鸣。在显示技术竞争更迭的过程中,显示产品的发展朝着更大、更轻、更薄的趋势发展。然而,显示产品的尺寸终究受物理空间的限制而存在上限,如何更进一步提高信息显示的密度与功能性,成了当前发光显示需要回答的一个重要问题。增强现实技术的出现为以上问题提供了一个解答的方向,增强现实通过将现实产品中现实的虚拟信息与真实物体的图像相叠和,两者互为补充实现对现实世界的增强。这种技术的出现提供了一种有效提高信息显示密度的手段。而它的实现需要依托一种新型显示产品——透明显示。透明显示即显示产品能够在发光的同时,不阻碍光学穿透其传递信息。有机电致发光器件（OLED）中的小分子有机材料本身具备高透明度和相对较高的发光效率,同时当前也可以较为成熟的实现生产,因此是透明显示的一种理想选择。然而当前限制透明OLED显示的主要问题在于透明阴极的选择和制备。由于小分子材料本身在高温和高能粒子轰击下非常脆弱,又易溶于大部分溶剂,因此限制了在有机层上制备电极的手段。以氧化铟锡、石墨烯与纳米线等为例的材料,在制备过程中难以避免对有机层造成损害,甚至会导致器件失效;而金属薄膜等电极虽然不会损伤器件,但电极的透过率偏低,难以满足透明显示的需求。基于以上问题,本文中以复合透明导电电极为研究对象,探索其作为透明显示器件顶部阴极的可能性。不同于以往工作中主要对电极导电性与光学透过率的讨论,本文中通过分析复合电极中金属-半导体接触过程中的载流子分布与能级变化,提出了一种利用复合电极实现类金属电极电学功能,保持复合电极高透过率的电极设计策略与机理,并在不同金属材料中验证了以上机理。最后利用采用以上机理设计的电极为阴极,制备了高透过率、高效率的透明OLED。具体工作内容如下:1.以能带弯曲理论为基础,讨论了不同情况下金属与半导体接触能带弯曲过程中的差别。以ZnO与Ag为例,发现以7.5 nm厚ZnO与Ag接触时,整个ZnO层均处在简并态中,使得ZnO的载流子浓度、迁移率与功函数均发生了变化。利用以上现象,设计了一种具有自封装能力的表面简并复合透明电极ZnO/Ag/ZnO（ZAgZ）。ZnO层对Ag的包裹使得电极的稳定性较Ag薄膜有所提高。同时,ZnO层的存在提升了Ag层的成膜能力,从而提高了ZAgZ电极的光电性能。以10 nm厚Ag为金属层的ZAgZ电极在550 nm处透过率可达80%,方块电阻则为14.3Ω/□。而通过采用霍尔效应与紫外光电子能谱手段表征ZAgZ电极,验证了ZnO表面处于简并态的设想。简并态的ZnO层使得整个ZAgZ电极具有均一的金属性,整体载流子浓度可达1022 cm-2水平,迁移率也与ZAgZ层整体厚度呈线性关系。同时,ZAgZ表面的功函数也受这种接触简并现象影响而下降到了4.0 eV。利用以上ZAgZ电极制备的底发射OLED与钙钛矿电致发光器件展现了优异的光电性能。与以ITO为电极的器件相比,两种ZAgZ器件的效率分别提升了80%与30%。2.基于以上研究基础,设计了以ZnO层保护碱土金属Ca不与OLED中有机物反应,以Al2O3层保护Ca不与空气中的水氧反应的ZnO/Ca/Al2O3（ZCA）透明电极。结合扩展Maxwell-Garnett等效介质与传输矩阵仿真,对ZCA中Ca层上自发形成的表面微结构进行了仿真,从而预测了ZCA电极的高透过率。经过实验验证的ZCA电极在方块电阻为40.6Ω/□时,透过率可达81.0%,而通过进一步调整结构更可以得到平均透过率可达95%,并在此时依然保持161.4Ω/□的导电性能的ZCA电极。除了光电性能外,ZCA电极的表面功函数更保持在了3.31 eV,有利于电子的注入。以上结果同样得到了第一性原理的支持。3.以ZCA电极作为透明阴极,ITO为透明阳极,制备了绿光、黄光与蓝光三色的透明OLED。透明OLED表现出了优异的发光效率和透明度。三色透明OLED的最大电流效率分别为79.2 cd/A、62.4 cd/A与33.5 cd/A,外量子效率达22.7%、19.3%和17.9%。在保持着高效率的同时,透明OLED依然保持着极高的透明度,其在可见光范围内的平均透过率为86%,满足了绝大多数透明显示设备对透明度的要求。同时,透明OLED还以非对称的电极结构表现出了顶发射与底发射双方向的发光平衡,证明了ZCA的优异出光能力。并基于以上高效率高透明度的OLED,对一些多功能的异形显示器件进行了探索。综上,本文以理论分析与第一性原理计算为基础,实验结果为验证,提出了一种通过金属与氧化物接触从而实现氧化物表面简并与功函数调节的新方法。通过将以上方法应用在两种不同结构的透明电极中,对该理论的适用情况和电学特征进行了详尽的表征。同时,基于以上理论制备的ZCA电极使得Ca第一次作为透明导电电极的主体得以稳定存在,为制备高性能高透明度的透明OLED提供了基础。以上功函数调节方法广泛适用于多种金属与半导体,为不限于透明电极制备的半导体器件开发提供了一种新的方法与相关的理论依据。
董关平[4]（2020）在《仿生银网络结构柔性透明导电电极制备及其性能研究》文中提出针对当前市场上主流透明导电电极氧化铟锡（ITO）中存在的柔韧性差、方阻较大、机械性能差以及成分有毒和原材料稀缺导致成本不段上升的问题,本文将植物叶脉和根系独特的微结构特征应用至银网络透明导电电极中,制备了具有优异光电性能和机械性能的柔性透明导电电极,本文具体研究工作主要包括以下几方面:（1）首先系统介绍了当前各种材料的透明导电电极研究进展及相应的光电性能、制备方法和优缺点,并介绍了当前金属网络透明导电电极的研究现状和进展,还介绍了各种自然仿生结构的金属网络透明导电的研究现状和性能,最后介绍了透明导电电极的性能指标和评价办法。（2）制备了一种光电性能优异的叶脉仿生复合银网络结构柔性透明导电电极,该电极实现了对叶脉网孔的进一步填充,优化了叶脉结构中的电路传输路径,降低了平均线宽（4.32μm）和线距（30.56μm）且具有优异的综合光电性能（透光率约75%,方阻约0.3Ω/sq）,并基于该电极制备了最大变色范围为66.76%的电致变色器件。（3）针对当前金属银网络柔性透明导电电极中存在线宽和间距减小后会导致电阻增加的问题,而低线宽和低线距有益于金属网络电极在光伏器件中对电荷输送和提取,本文将旋涂法与刮涂法工艺相结合,制备了一种线宽小（平均线宽1μm左右）、线距小（平均线距20μm左右）同时方阻小（3-5Ω/sq）的仿叶脉分形密集银网络结构柔性透明导电电极。（4）针对当前金属网络电极在方阻理论计算方面的研究不足,提出一种将图像处理与基尔霍夫定律结合的方法实现对金属网络电极的方阻计算,该方法通过对金属网络电极的光学图片进行滤波处理并分割提取形成电阻网络模型,并采用基尔霍夫电流电压定律对电阻网络模型进行等效替换,以及简单的串并联简化计算实现了对金属网络的方阻计算,计算结果与测试数据接近且变化趋势相同。（5）针对当前金属网络透明电极中存在的导电层与柔性衬底结合力弱的问题,本文通过模拟竹子根系结构制备了一种仿根系银网络结构柔性透明导电电极,该电极实现了导电金属网络层与柔性衬底的高效结合,同时该电极具有优异光电性能（透光率约为85%,方阻为2.2Ω/sq）和机械性能（连续350次弯曲折叠后方阻小于10Ω/sq）。
刘国震[5]（2020）在《新型钙钛矿材料结构设计及其对器件性能影响研究》文中认为有机-无机卤化物钙钛矿是近年来光电领域备受关注的材料之一,由于其独特的光电特性,目前钙钛矿太阳电池的认证光电转化效率（Power Conversion Efficiency,PCE）已经达到25.2%,展现出巨大的应用前景。然而,钙钛矿器件具有差的稳定性,远远不能满足实际应用的需求,这是阻碍未来钙钛矿太阳电池进一步发展的关键因素之一。作为器件的核心组成部分,钙钛矿吸光层材料在湿度、氧气、热和光照条件下的不稳定性成为导致钙钛矿太阳电池不稳定的主要原因。因此,新型钙钛矿材料的研发,并且通过结构的设计提升器件的效率和稳定性是很有必要的。湿度稳定的二维（Two-Dimensional,2D）和混合维（Mixed-Dimensional,MD）钙钛矿材料的出现为钙钛矿太阳电池的商业化带来了曙光,但其低的PCE是目前亟需解决的问题。针对以上的研究背景,本文主要关注于高性能MD钙钛矿材料的结构设计,卤化铵盐对MD钙钛矿材料性能影响的研究以及高效稳定的2D-3D钙钛矿太阳电池的制备三个方面,针对如何提升2D及MD钙钛矿太阳电池的PCE和探究卤化铵盐对2D及MD钙钛矿材料性能的影响开展一系列研究工作:（1）铯（Cs）阳离子掺杂基于苯甲胺的MD钙钛矿设计。通过A位无机阳离子Cs的掺杂来提升苯甲胺（Benzylammonium,BE）MD钙钛矿材料的光伏性能和稳定性,研究BE含量对薄膜的结晶性、表面形貌、光学性能及内部传输、复合动力学的影响,最终调节Cs和BE的含量设计得到最优组分的MD钙钛矿器件,PCE达到19.24%,同时基于BE/FA/Cs的MD钙钛矿器件的湿度和热稳定性较MAPb13钙钛矿器件均得到了极大的改善。（2）Cs掺杂及溴（Br）组分含量调控设计高效稳定基于乙醇胺（2-hydroxyethylamine,HEA）的MD钙钛矿材料。将HEA作为合适的铵盐阳离子引入基于纯FA的3D钙钛矿中,在Cs掺杂之后,进一步调节X位Br阴离子的引入,提升薄膜结晶性和表面形貌,并研究Br组分含量和HEA的比例对薄膜光学性能和缺陷密度的影响,最终设计得到基于HEA的高性能MD钙钛矿材料,器件的PCE提升到19.84%。此外,未封装器件在85℃老化条件下展现出卓越的热稳定性,耐湿性也明显增强。（3）基于卤化乙胺的MD钙钛矿材料的设计。在前期的研究基础上,为进一步提升MD钙钛矿器件的光伏性能,研究了有机铵盐的化学性质对MD钙钛矿性能影响。研究发现有机铵盐中卤素官能团的引入,可以提升的钙钛矿的结晶性,抑制内部载流子复合,提高光伏性能,电池效率达到20.08%,同时由于卤素官能团增加了薄膜的疏水性能,电池展现出优异的湿度稳定性。（4）MD钙钛矿材料中卤化铵盐的钝化作用研究。进一步,为验证基于卤化铵盐的2D钙钛矿的钝化作用,将卤化苯甲铵作为第二间隔阳离子引入到准2D钙钛矿中,设计了高性能基于HEA的准2D钙钛矿。研究表明卤化苯甲铵可以有效钝化HEA准2D钙钛矿内部缺陷,抑制复合,最终电池效率从15.19%提升到18.75%,为后续卤化低维钙钛矿材料的应用奠定基础。（5）卤化低维钙钛矿材料的界面修饰设计高效稳定的钙钛矿太阳电池。基于前期实验证明了卤化低维钙钛矿的钝化效果,我们又设计了基于苯甲胺基的卤化低维钙钛矿修饰层,结果显示卤化低维钙钛矿修饰层可以有效抑制钙钛矿和空穴传输层的界面复合,促进空穴的提取,最终获得的MD结构的钙钛矿太阳电池效率可以达到21.13%。并且,由于低维钙钛矿层优异的疏水性能和抑制界面的离子迁移的作用,最终电池湿度稳定性和热稳定性得到了显着的提升。以上研究工作不仅通过钙钛矿材料的结构设计提升了 MD钙钛矿的光伏性能,而且明确了卤化铵盐对2D钙钛矿材料的性能和稳定性的影响,最终设计得到PCE超过21%且稳定性显着提升的2D-3D钙钛矿太阳电池,为开发更高效和稳定的2D及MD钙钛矿材料提供了可能性,进一步推进了2D及MD钙钛矿材料在光电领域的应用和发展。
梁嵬[6]（2020）在《网格筋筒形零件旋压成形机理与控制优化研究》文中研究指明旋压成形技术作为金属回转体零件的最佳成形加工方法之一,广泛的应用在航空、航天、兵器及民用汽车等行业。随着军工行业和民用交通行业对金属回转体零件的轻量化、强韧化要求的提升,相关零件的结构改进和制造工艺改善的需求日益强劲。相对于等壁厚壳体零件,带内加强筋工件在保证零件强度的同时,可以有效降低自身重量,而对于内部加强筋为网格状的复杂内筋结构,相应轻量化优势更加明显。本文针对复杂内筋壳体零件旋压成形工艺技术为研究课题,以内部带网格加强筋筋壳体零件为研究对象。基于经典金属塑性成形理论和强力旋压成形理论,采用仿真模拟和试验研究验证结合的方法,围绕网格筋筒形零件的旋压成形机理、旋压工艺参数控制及优化、配套工装模具优化设计及制造和网格筋零件旋压成形试验等研究方向开展工作。针对多评价指标条件下综合最优工艺参数组合确定难题,采用了正交试验优化设计和灰色关联度分析法相结合的方法。针对旋压成形后因零件环状内筋的存在而无法卸料的难题,设计了专用径向七分瓣芯模。最终利用旋压工艺完成了带网格内筋壳体零件的加工成形,为此类零件的加工成形提供了一种新的工艺选择。论文主要研究内容概括如下:网格筋筒形零件旋压塑性理论及仿真数学原理研究。基于传统金属塑性变形理论,以晶体滑移和位错概念为基础,结合网格筋旋压成形金属流动特点分析相应成形机理;在建立网格筋金属流动模型的基础上,以金属质点流速方式分析金属流动规律;依据应力应变分布状态总结不同壁厚层的不均匀变化程度;分析了网格筋零件旋压力计算方式并给出相应计算公式,为后续旋压力计算提供理论支撑。简要分析了网格筋零件仿真建模的数学理论基础和相应求解器的选取原则,为后续仿真试验数据分析奠定基础。网格筋筒形零件旋压成形仿真分析研究。以网格筋筒形零件的各项技术参数为输入,将旋轮工作角、毛坯减薄率和旋轮进给速度设定为变化工艺参量,在ABAQUS软中建立旋压仿真模型。仿真试验中采用正交试验设计手段设计了25组试验参数组合,并以各组参数模型中的应力云图、应变云图和成形效果为判断依据,分别对网格筋零件质量考核指标的纵向内筋、横向内筋和内壁椭圆度的成形效果进行了仿真试验。依据仿真试验结果绘制了各工艺参量在不同参数条件下对各质量考核指标的趋势变化图,进而分析得出了单一考核指标下的最佳工艺参数。网格筋筒形零件旋压成形工艺参数控制优化研究。为了保证网格筋筒形零件旋压仿真工艺参数的准确度,针对网格筋零件的正交仿真实验数据进行了极差数据分析。针对出现的不同优化目标下,工艺参数的影响显着性顺序不同,产生的最佳工艺组合不同的问题,引入灰色关联分析的方法进行工艺参数优化设计。通过分析纵向筋高差值、横向筋高差值和内壁椭圆度的模拟结果,得到了各因素对评价指标的影响顺序。进而采用灰色关联分析方法对网格筋零件进行多目标关联度的分析,得到了多目标优化的工艺参数最优组合,为后续试验提供了工艺数据支撑。网格筋筒形零件旋压成形试验研究。根据网格筋零件旋压试验的工艺要求,设计加工完成了网格筋零件旋压专用分瓣芯模,分瓣芯模在具有良好刚性和强度的同时能够实现快速的分瓣拆卸,解决了网格筋零件旋后的卸料难题。在专用工装模具的支持下,采用仿真模拟提供的优化工艺参数组合,先后进行了网格筋零件室温旋压和加热旋压,最终通过加热旋压工艺旋制完成了2.5 mm内筋高和4 mm内筋高网格筋目标尺寸零件。针对旋压工艺试验中出现的加强筋成形质量、成形高度和壳体成形精度、表面粗糙度等缺陷进行了详细的质量控制分析,总结相应规律提出了解决手段。网格筋旋压壳体零件尺寸检测及性能分析。针对网格筋零件内壁复杂形面的测量开展高精度光学测量实验验证,通过测量所得数据,验证了网格筋零件具有良好精度,同时也证明了光学检测手段可以应用于网格筋内壁形面尺寸的测量。在此结论基础上,初步探索了光学自动测量技术的应用可行性。对网格筋零件的旋压壳体样件和旋后退火样件分别进行了材料力学拉伸试验和微观组织金相观察,实验数据证明旋压后的网格筋样件材料性能有较大幅度提高。
程涛[7]（2018）在《柔性电极的可印刷制备、功能调控及应用研究》文中研究表明近年来,柔性可拉伸光电器件因轻薄、便携、可弯曲、共形性好、耐用性强等优势,受到了科研界及产业界的高度关注。电极作为光电器件基本组成单元,对器件性能有巨大的影响。目前,光电领域采用的电极多是单晶半导体硅、印刷电路板（PCB）及铟锡氧化物（ITO）透明电极。这些电极质地脆、柔性差、制备工艺复杂、成本高,无法满足柔性可拉伸光电器件的发展需求。本论文致力于开发新型电极材料及探索新型制备工艺,实现低成本大面积制备高性能柔性电路/电极,以取代传统PCB,特别是ITO透明电极,从而适应并推动柔性光电技术的发展。研究内容主要包括电极材料合成、墨水配制、电极制备、印刷工艺优化、性能表征及器件应用。1本工作首先创立了低成本、大面积、高质量喷墨印刷银电电路的方法。系统优化了喷墨打印的工艺参数,建立了通用的基底修饰与处理技术,成功将打印的银线线宽降至初始值的1/3,显着提高了喷墨打印的分辨率。利用创建的工艺方法,在不同基底上打印了大面积银电路,其形貌精致、电导率高、柔性优异。该方法在简便、低成本、大面积制备柔性电路并取代传统PCB以适应柔性电子技术发展方面具有广阔的应用前景。2率先建立了多层旋涂或印刷制备透明电极的技术方案,创新性提出墨水电导率及流变性调控机制,成功制备了综合性能良好的PEDOT:PSS柔性透明电极。鉴于原始PEDOT:PSS电导率较低,不适于喷墨印刷,我们通过高沸点溶剂的微量调控,将PEDOT:PSS的电导率提高23个数量级;通过掺杂表面活性剂,调节了PEDOT:PSS的黏度及表面张力,提高了其对基底的浸润性,有利于后续PEDOT:PSS的多层旋涂成膜及喷墨印刷;通过层数控制,优化了PEDOT:PSS电极的光电性质(Rs:36Ωsq-1,T:82%)及电化学性能(4.72 mF cm-2),该电极亦表现良好的力学柔性,在取代ITO电极应用于柔性可穿戴电子方面具有巨大潜力。我们利用获得的PEDOT:PSS透明电极制备了柔性透明全固态超电容,该电容器表现出良好的电化学性能,优异的力学柔性及较高的透明度。3提出了复合电极制作思路,进一步提升了PEDOT:PSS的光电性能,全印刷了PEDOT:PSS/银网格复合电极。复合电极可以克服单一材料的缺陷,协同发挥二者的优势,其综合性能较单一材料进一步提升,不仅具有优异的光电性能(Rs:12Ωsq-1,T:89%),出色的力学柔性,较强的抗氧化能力,而且具有良好的电化学性能(7.36 mF cm-2)。我们利用该复合电极制备了柔性透明图案化的固态超电容,该电容器具有良好的综合性能。4开发了一种简单、低成本、环保的多元醇方法,合成了高长径比、高纯度银纳米线。建立了预沉积并转移两步法制备电极技术,将合成的银纳米线转移并嵌入到PDMS基底表面,制备了具有优异综合性能的新型可拉伸透明AgNWs/PDMS电极。首先,通过调控原料摩尔比、控制晶种的量、优化反应温度、调节原料滴速等,合成了高长径比、高纯度的银纳米线。随后,将银纳米线转移并掩埋到PDMS表层制备了可拉伸透明电极。通过调控转印前银纳米线导电层的厚度,可以实现电极透光性与导电性的良好平衡。该透明电极不仅具有良好的光电性能,也表现较好的拉伸性,在可拉伸光电子领域具有广阔的应用前景。
王伟[8]（2019）在《大面积苯并噻吩类晶态薄膜的制备及其高性能场效应晶体管的研究》文中进行了进一步梳理有机半导体晶态薄膜具有分子排列长程有序、缺陷少、晶体质量高,以及优异的光电性能等特点而受到广泛关注。然而,有机半导体小分子在晶态薄膜制备过程中,薄膜的生长倾向于三维模式,造成器件接触电阻大,而且制备效率较低,不利于大规模、低成本的器件应用。针对上述问题,本论文开展以下工作:一、通过抑制“咖啡环”效应大面积可控生长具有二维生长模式的C10-BTBT晶态薄膜及其性能的研究利用有机半导体小分子与聚合物混合的体系来抑制“咖啡环”效应,成功制备具有二维生长模式的晶圆级晶态薄膜,并展示了其在高性能场效应晶体管中的应用。首先,运用原子力显微镜技术探究了溶液浓度与薄膜生长模式的关系,再通过计算流体动力学（CFD）理论分析揭示有无聚合物时薄膜生长模式的变化,CFD结果显示,引入聚合物后,因溶剂挥发诱导产生的流体对流速度减小了 2.5倍,使得二维层状的分子堆积得到了增强;随后,探究了不同溶液浓度下薄膜生长的演化过程;当采用2,7-二癸基[1]苯并噻吩[3,2-b][1]苯并噻吩（C10-BTBT）/聚苯乙烯的混合溶液,利用刮涂法工艺制备得到晶圆级少层的C10-BTBT晶态薄膜。基于该晶态薄膜所构筑的有机场效应晶体管,空穴迁移率高达14.2 cm2 V-1s-1,电流开关比大于107,阈值电压低至0.34V,亚阈值摆伏为1.03 V dec-1,并且同一基底的36个器件的平均空穴迁移率达到9.3 cm2 V-1 s-1这些器件性能指标已经达到了目前国际上文献报道的最好水平。晶圆级、高性能二-维有机晶态薄膜的成功制备为大面积高性能集成器件的应用奠定了一定的基础。二、氮气气流引导快速制备C8-BTBT晶态阵列薄膜以及高性能场效应晶体管的研究利用氮气气流引导法快速制备大面积（最大尺寸为1×1.5 cm2）有机晶态阵列薄膜,并且提高了晶态薄膜的制备效率。该方法采用2,7-二辛基[1]苯并噻吩[3,2-b][1]苯并噻吩（C8-BTBT）与聚合物聚苯乙烯的混合体系,利用氮气气流的引导工艺制备晶态薄膜。通过优化聚合物的分子量、聚合物溶液的浓度以及氮气气流的速度制备条件,提高有机晶态薄膜晶体管的器件性能。结果表明,聚合物分子量大小对制成的有机薄膜场效应晶体管的器件性能有决定性的影响;聚合物溶液的浓度过高或过低均会影响薄膜的晶体质量;氮气气流速度过快造成溶液来不及结晶以及气流速度过慢导致材料横向堆积从而降低器件性能;当采用聚合物分子量为2000 kDa,聚合物浓度为10 mg mL-1,氮气气流的速度为200 kPa时,基于C8-BTBT二维晶态薄膜所构筑的有机场效应晶体管,最大空穴载流子迁移率高达21.7 cm2V-1 s-1,并且在同一基底的49个器件平均迁移率为12 cm2 V-1 s-1电流开关比大于107,亚阈值摆伏低至1.23 Vdec-1。该方法不仅与大面积卷对卷制备工艺相兼容,并且制备效率高,为大面积快速制备高性能有机晶态薄膜提供了新的策略。
田野松[9]（2019）在《大气压微波等离子体炬工作平台控制系统的设计与实现》文中提出大气压微波等离子体炬由于在常压下能够维持稳定放电,且有较高的电离度和电子密度,使其在工业领域具有很大的应用前景。但是由于大气压微波等离子体炬放电时会产生噪音,在某些情况下会产生有毒气体,并存在着电磁辐射泄露的危险,类似因素导致的恶劣工作环境极大的影响了操作者的身体健康。此外,由于大气压微波等离子体炬系统的功能模块较多,模块间的协同操作比较繁琐,这不仅会在使用时出现误操作的可能性增加,也会使其与其它系统对接构成更大的系统来协调工作的难度增加,从而在一定程度上限制了其应用发展。为此在我们实验室自主设计出的一套大气压微波等离子体设备（APPLAS-MPT3I）的基础上,为这套设备设计制造了基于LabVIEW的控制系统。该系统在考虑以往的操作习惯的前提下,将各模块间的功能合理的集成,使得操作更加安全、方便。同时由于其运行稳定性能优良及结构合理等多方面优势,对大气压微波等离子体炬在工业上的应用拓展,有着一定的促进意义。该系统采用模块化的结构,分别是微波源控制模块、等离子体炬发生装置控制模块、气体流量控制模块及图像采集模块。各个子模块之间互相独立协调配合。等离子体炬控制模块主要由串口继电器及供电电源组成,用于控制热阻开关和点火器。微波电源设有RS-485串口,可直接连接计算机控制功率的输入值并反馈工作参数。气体流量控制模块采用质量流量控制器通过数模转换装置与计算机相连,用于控制气体流量并反馈输入气体流量值。图像采集模块的硬件部分主要是高清USB控制线及与之相连的摄像头,用于实时采集图像并监测等离子体炬放电情况。我们利用该控制系统实现了大气压微波等离子体炬放电的稳定工作状态,研究了大气压微波等离子体对于CO2气体的分解效率。观察到CO2等离子体炬由明亮的中心区域及较暗淡的蓝光余辉区组成;当输入功率低于1200 W或者气体流量低于10 SLM时,等离子体炬会呈不稳定状态。此外,分析了CO2气体输入量及微波输入功率的变化对炬形态的影响,发现等离子体炬的体积受输入功率的影响较大,而气体流量对其影响不大。此外,我们通过拍摄发射光谱对CO2等离子体炬进行了诊断,发现CO2等离子体中在长波区间出现了具有一定强度的C、O元素的原子谱线,而在波长较短区域内的C、O元素的原子谱线几乎都被C2（d3Πg-a3Πu）及CN（B2Σ+-X2Σ+）自由基谱带所覆盖;同时对比了在不同工作参数下及不同位置处等离子体炬的发射光谱强度,并对其内部反应机制进行了初步分析。后续工作我们将从计算CO2等离子体温度与CO2气体分解率及探究通入Ar、N2及CH4对CO2气体分解的影响等方面展开。
裴志彬[10]（2017）在《柔性单晶硅/低维纳米材料及电子器件的制备及性能研究》文中指出随着微电子技术的进一步发展,开发具有简易制造流程、低成本、轻便可弯曲等特性的新型柔性电子材料和器件,可有效弥补传统刚性微电子器件的局限性,促进现代电子产品功能的多样化发展。本文研究了单晶硅、石墨烯以及银纳米线三种微纳结构薄膜的制备及柔性化方法,并探索了相关电子材料的稳定性和柔性器件的制备及性能优化方法。论文主要结果如下:一、基于单晶硅结构的结晶学特性和化学湿法刻蚀中的动力学因素调控,实现了单晶硅材料的柔性化,制备了不同厚度且均匀的单晶硅薄片、小且均匀的金字塔结构及其复合多种形貌和取向的纳米线结构,得到了柔性的单晶硅材料及其复合微纳结构,并测试了全角度入射光的反射率,结果表明金字塔复合<111>取向纳米线在光从0-45°入射时光反射率均在5%以下,具有良好的全角度减反射特性。二、基于喷墨印刷工艺制备了柔性插指状石墨烯超级电容器,通过添加碳颗粒解决了石墨烯片结构稳定性的问题,并实现了插指状超级电容器电极的规格化制备。结果表明,添加碳颗粒的超级电容器的面电容提高到780%;器件弯曲测试500次后,电容器的外观状态和电容性能基本不变,说明电容器具有优异的弯曲柔韧性;经过10000次循环测试后,电容保持率为100%,表明电容器具有极佳的循环稳定性和长循环寿命。三、通过调控氧化石墨烯表面官能团的分布,制备了一种电压信号检测湿度的平面型传感器。结果表明,该传感器对不同相对湿度呈阶跃式响应变化,感应电压稳定值呈线性变化,灵敏度高,具有较快的响应/恢复特性;利用此传感器对人体呼吸过程进行检测,实现了对正常静态呼吸（12-20次/min）、快速急促呼吸（20-40次/min）等不同呼吸频率的检测,对均匀呼吸、暂停呼吸和深呼吸等不同呼吸模式的实时检测。长达近1000次的呼吸过程测试和3个月放置后,仍具有较好的重复性和循环稳定性。在此基础上制作了智能呼吸检测仪,初步实现了对人体呼吸频率和呼吸模式的测量。四、基于一维银纳米线结构制备的柔性透明加热器,实现了加热温度40-100℃范围内调控,热响应时间15 s左右。经过100次高电压28 V循环测试后,加热器表面温度基本没有发生变化,弯曲成圆柱形时,加热器依旧可以正常工作。表明加热器具有较宽的温度调节范围、较好的温度稳定性、较快的热响应时间、长循环稳定性和柔韧性。通过研究不同方块电阻的加热器的电学性能的稳定性,结果表明,低电阻（<50α/□）的加热器的击穿失效主要是因为加热温度太高导致银纳米线热熔断和基底热损坏失效;中高电阻（>50 Ω/□）的加热器失效机理主要是电迁移和热效应共同作用失效,并且随着方块电阻的逐渐增大,电迁移导致失效的比重越来越大。
二、载流金属网格中冷原子的动力学行为（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、载流金属网格中冷原子的动力学行为（论文提纲范文）
（1）高性能钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅四端叠层电池研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 钙钛矿太阳电池概述 |
| 1.2.1 钙钛矿光伏材料 |
| 1.2.2 钙钛矿薄膜制备方法 |
| 1.2.3 钙钛矿太阳电池结构和传输层 |
| 1.2.4 钙钛矿太阳电池的研究进展 |
| 1.3 钙钛矿/硅叠层电池进展 |
| 1.3.1 半透明钙钛矿太阳电池 |
| 1.3.2 钙钛矿/硅叠层电池 |
| 1.4 钙钛矿/硅叠层电池面临的挑战 |
| 1.5 本论文的选题目的、研究意义和研究内容 |
| 第二章 钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅叠层电池工作原理与制备 |
| 2.1 钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅叠层电池的工作原理 |
| 2.2 钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅叠层电池模拟和仿真 |
| 2.3 钙钛矿太阳电池制备 |
| 2.4 钙钛矿太阳电池测试与表征 |
| 第三章 钙钛矿太阳电池电荷传输层调控与改性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 基于SnO_2:GQDs ETL钙钛矿太阳电池研究 |
| 3.2.1 基于GQDs正向结构钙钛矿太阳电池制备 |
| 3.2.2 GQDs对SnO_2ETL的调控 |
| 3.2.3 GQDs对钙钛矿薄膜物性的影响 |
| 3.2.4 GQDs对钙钛矿器件性能的影响 |
| 3.3 基于PMMA:spiro-OMeTAD钙钛矿太阳电池研究 |
| 3.3.1 PMMA:spiro-OMeTAD HTL对钙钛矿薄膜物性的影响 |
| 3.3.2 PMMA:spiro-OMeTAD HTL对器件性能的影响 |
| 3.4 基于金属热氧化法NiO_xHTL高性能钙钛矿太阳电池 |
| 3.4.1 基于金属热氧化法NiO_x正向结构钙钛矿太阳电池 |
| 3.4.2 基于金属热氧化法NiO_x反向结构钙钛矿太阳电池 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 钙钛矿光吸收层物性调控 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于三元混合阳离子组分工程的高性能钙钛矿太阳电池 |
| 4.2.1 基于三元混合阳离子组分工程的钙钛矿薄膜制备和表征分析 |
| 4.2.2 基于三元混合阳离子组分工程的钙钛矿器件性能分析 |
| 4.3 基于CsBr扩散一步界面修饰和钙钛矿薄膜生长调控 |
| 4.3.1 CsBr固体扩散源制备与表征 |
| 4.3.2 CsBr修饰层对钙钛矿薄膜的作用 |
| 4.3.3 CsBr修饰层对钙钛矿器件作用分析 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 金属/氧化物介质复合透明电极及钙钛矿/硅四端叠层电池研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 基于TeO_2高效半透明钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅四端叠层电池研究 |
| 5.2.1 基于TeO_2增透膜仿真 |
| 5.2.2 基于Ag/TeO_2透明电极钙钛矿器件性能研究 |
| 5.2.3 基于Ag/TeO_2透明电极钙钛矿/硅四端叠层电池研究 |
| 5.3 基于MoO_3/Au/MoO_3透明电极钙钛矿/硅四端叠层电池研究 |
| 5.3.1 基于MoO_3/Au/MoO_3透明电极钙钛矿/硅四端叠层电池仿真 |
| 5.3.2 基于MoO_3/Au/MoO_3透明电极钙钛矿/硅四端叠层电池研究 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 总结展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 |
（2）印刷氧化锆绝缘层及柔性薄膜晶体管研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管研究 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的工作原理及性能参数 |
| 1.2.2 氧化物薄膜晶体管的发展 |
| 1.2.3 栅极绝缘层材料的作用及进展 |
| 1.3 溶液法制备栅极绝缘层研究 |
| 1.3.1 溶液法制备栅极绝缘层原理 |
| 1.3.2 溶液法制备栅极绝缘层工艺 |
| 1.3.3 溶液法制备栅极绝缘层进展 |
| 1.4 溶液法制备氧化锆绝缘层现状和问题 |
| 1.5 实验制备及表征方法 |
| 1.6 本论文研究目的与意义 |
| 第二章 氧化锆墨水的制备与研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 墨水体系研究 |
| 2.3 前驱体墨水的表征与分析 |
| 2.3.1 TG/DSC分析 |
| 2.3.2 FTIR分析 |
| 2.3.3 光透过率分析 |
| 2.3.4 可印刷性分析 |
| 2.3.5 XRD分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 溶液法制备氧化锆薄膜与器件研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 旋涂法制备氧化锆工艺研究 |
| 3.2.1 成膜特点分析及器件制备 |
| 3.2.2 转速及后退火温度的影响 |
| 3.2.3 墨水粘度和张力的影响 |
| 3.2.4 旋涂次数及膜厚的影响 |
| 3.3 喷墨打印制备氧化锆工艺研究 |
| 3.3.1 成膜特点分析及器件制备 |
| 3.3.2 喷墨打印参数的影响 |
| 3.3.3 混合溶剂体系及衬底的影响 |
| 3.4 旋涂法及喷墨打印法制备氧化锆器件对比 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 印刷氧化锆/PVP混合绝缘层研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 印刷氧化锆/PVP混合绝缘体系的制备与研究 |
| 4.2.1 PVP绝缘薄膜分析 |
| 4.2.2 PVP掺杂氧化锆绝缘体系分析 |
| 4.2.3 叠层绝缘层体系分析 |
| 4.3 印刷氧化锆/PVP混合绝缘体系稳定性研究 |
| 4.3.1 缺陷态及电滞现象分析 |
| 4.3.2 偏压稳定性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 印刷绝缘层柔性器件的制备与研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 低温工艺研究 |
| 5.2.1 μ-PCD检测技术 |
| 5.2.2 UV辅助热退火工艺 |
| 5.3 柔性器件研究 |
| 5.3.1 柔性器件的制备 |
| 5.3.2 柔性器件的测试与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（3）应用于有机电致发光器件的复合透明电极的结构设计与性能优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 有机电致发光器件(OLED) |
| 1.1.1 OLED的历史与前景 |
| 1.1.2 OLED器件的发光结构 |
| 1.1.2.1 底发射OLED |
| 1.1.2.2 顶发射OLED |
| 1.1.2.3 穿透式及透明OLED |
| 1.1.3 有机发光材料的脆弱性及其对工艺的限制 |
| 1.2 透明导电电极 |
| 1.2.1 透明导电电极的材料选择 |
| 1.2.1.1 薄膜金属 |
| 1.2.1.2 透明导电氧化物(TCO) |
| 1.2.1.3 聚合物导电材料 |
| 1.2.1.4 金属纳米结构 |
| 1.2.1.5 石墨烯等碳基材料 |
| 1.2.2 复合透明电极 |
| 1.2.3 透明导电电极的评价机制 |
| 1.3 本文选题与主要研究内容 |
| 1.3.1 选题思路 |
| 1.3.2 主要研究内容 |
| 第2章 具备自封装特性的表面简并复合结构透明导电电极 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 接触简并的机理研究 |
| 2.3 复合透明电极的制备工艺 |
| 2.3.1 原子层沉积工艺制备的低温ZnO |
| 2.3.2 ZAgZ电极的光电性能表征与分析 |
| 2.3.3 复合透明电极的表面简并特性分析 |
| 2.4 复合透明电极在OLED等光电子器件中的应用 |
| 2.4.1 基于ZAgZ的底发射OLED |
| 2.4.2 基于ZAgZ的底发射Pe-LED |
| 2.4.3 ZAgZ的载流子特性表征 |
| 2.5 小结 |
| 第3章 碱土金属透明导电电极的设计与实现 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 ZCA电极的光电性能表征 |
| 3.2.1 ZCA电极的透过率仿真与实验 |
| 3.2.2 ZCA电极的电学特性 |
| 3.3 ZCA电极的功能特性 |
| 3.3.1 ZCA电极的自封装特性 |
| 3.3.2 ZCA电极的简并特性与功函数调节 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 高效高透明度的透明OLED |
| 4.1 引言 |
| 4.2 透明OLED的性能对比 |
| 4.2.1 透明量子点LED |
| 4.2.2 透明聚合物LED |
| 4.2.3 透明OLED |
| 4.2.4 本工作的器件设计 |
| 4.3 透明OLED的性能表征 |
| 4.3.1 透明OLED器件的光电特性 |
| 4.3.2 透明OLED的穿透型显示 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 结论 |
| 5.1 论文主要工作总结 |
| 5.2 意义与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（4）仿生银网络结构柔性透明导电电极制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 主要符号表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 透明导电电极的制备材料 |
| 1.2.1 透明导电氧化物 |
| 1.2.2 金属纳米线 |
| 1.2.3 碳纳米管和石墨烯 |
| 1.2.4 导电聚合物 |
| 1.2.5 金属网络透明导电电极 |
| 1.3 自然仿生金属网络电极 |
| 1.3.1 树叶叶脉仿生结构电极 |
| 1.3.2 蜘蛛网仿生结构电极 |
| 1.4 透明导电电极的性能 |
| 1.4.1 综合光电性能 |
| 1.4.2 机械稳定性能 |
| 1.5 本文的主要研究内容及架构 |
| 第二章 银网络结构叶脉仿生复合柔性透明导电电极制备及其光电性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 叶脉复合电极光电性能模型 |
| 2.2.1 横向电流输运模型仿真 |
| 2.2.2 纵向载流子收集模型计算 |
| 2.2.3 光学性能模型仿真 |
| 2.3 透明导电电极的制备方法 |
| 2.3.1 透明导电电极的制备流程 |
| 2.3.2 实验所需药品 |
| 2.3.3 实验所需设备 |
| 2.4 透明导电电极的制备工艺 |
| 2.4.1 叶脉网络模板的提取 |
| 2.4.2 光刻衬底的制备及叶脉模板光刻 |
| 2.4.3 叶脉银网络沉积 |
| 2.4.4 叶脉银网络转移 |
| 2.4.5 龟裂银网络复合 |
| 2.5 透明导电电极性能表征测试与分析 |
| 2.5.1 叶脉复合电极的光电性能表征 |
| 2.5.2 综合光电性能表征 |
| 2.5.3 机械性能表征测试 |
| 2.5.4 综合性能对比测试实验 |
| 2.6 透明导电电极的器件应用 |
| 2.6.1 电致变色器件制备方法 |
| 2.6.2 电致变色器件性能表征 |
| 本章小结 |
| 第三章 仿叶脉分形密集银网络结构柔性透明导电电极制备及其光电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 银网络电极的制备方法 |
| 3.2.1 透明导电电极的制备流程 |
| 3.2.2 实验所需药品 |
| 3.2.3 实验所需设备 |
| 3.3 透明导电电极的制备过程 |
| 3.3.1 旋涂制备牺牲层 |
| 3.3.2 溅射密集银网络 |
| 3.3.3 密集银网络转移及刮涂制备牺牲层 |
| 3.3.4 溅射叠层银网络及去除牺牲层 |
| 3.4 透明导电电极性能表征测试与分析 |
| 3.4.1 透明导电电极的光电性能表征 |
| 3.4.2 透明导电电极的机械性能表征 |
| 本章小结 |
| 第四章 银网络结构透明导电电极网络电阻计算方法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电阻网络阻值的提取流程 |
| 4.3 电阻网络阻值的提取方法 |
| 4.3.1 图像输入及图像滤波 |
| 4.3.2 自动阈值分割 |
| 4.3.3 中心线提取及电阻连接点提取 |
| 4.3.4 电阻分离及电阻参数标注 |
| 4.4 银薄膜的形貌及电阻率测试分析 |
| 4.4.1 银薄膜形貌分析 |
| 4.4.2 银薄膜电导率测试 |
| 4.5 基于基尔霍夫定律的金属电阻网络计算 |
| 4.5.1 基尔霍夫定律变化的基本原理 |
| 4.5.2 电阻网络基本变化原理 |
| 4.5.3 龟裂银网络电极的电阻网络计算 |
| 本章小结 |
| 第五章 仿根系银网络结构柔性透明导电电极制备及其结合力性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 透明导电电极的制备方法 |
| 5.2.1 透明导电电极的制备流程 |
| 5.2.2 实验所需药品 |
| 5.2.3 实验所需设备 |
| 5.3 透明导电电极的制备 |
| 5.3.1 制备覆盖层以及牺牲层 |
| 5.3.2 龟裂模板复制 |
| 5.3.3 银网络生长 |
| 5.3.4 制备衬底转移层及银网络无损转移 |
| 5.4 透明导电电极性能表征测试与分析 |
| 5.4.1 透明导电电极光电性能表征 |
| 5.4.2 透明导电电极的机械性能表征 |
| 5.5 透明导电电极的器件应用 |
| 5.5.1 透明加热器温升曲线测试 |
| 5.5.2 透明加热器红外线测试 |
| 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（5）新型钙钛矿材料结构设计及其对器件性能影响研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 太阳电池的研究背景 |
| 1.2 钙钛矿太阳电池的概述 |
| 1.2.1 钙钛矿材料的性能 |
| 1.2.2 钙钛矿太阳电池的基本结构 |
| 1.2.3 钙钛矿太阳电池的工作原理 |
| 1.2.4 钙钛矿太阳电池的制备方法 |
| 1.3 钙钛矿吸光层的研究及发展 |
| 1.3.1 A位阳离子掺杂的钙钛矿吸光层 |
| 1.3.2 混合卤素的钙钛矿吸光层 |
| 1.3.3 二维及混合维钙钛矿吸光层 |
| 1.3.4 无机钙钛矿吸光层 |
| 1.3.5 无铅钙钛矿吸光层 |
| 1.4 钙钛矿太阳电池面临的问题与挑战 |
| 1.4.1 稳定性问题 |
| 1.4.2 环境友好问题 |
| 1.4.3 柔性和大面积制备 |
| 1.5 本文主要研究内容及意义 |
| 第2章 钙钛矿太阳电池的制备工艺及相关性能测试 |
| 2.1 钙钛矿太阳电池的制备工艺 |
| 2.1.1 主要实验试剂及仪器 |
| 2.1.2 太阳电池器件的制备工艺 |
| 2.2 钙钛矿太阳电池的性能表征与分析 |
| 2.2.1 钙钛矿吸光层薄膜相关性能的表征与分析 |
| 2.2.2 钙钛矿太阳电池器件性能的表征与分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 基于铯阳离子掺杂的混合维钙钛矿材料研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 材料与试剂 |
| 3.2.2 器件制备 |
| 3.2.3 测试与表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 铯阳离子掺杂苯甲胺混合维钙钛矿晶体结构研究 |
| 3.3.2 铯阳离子掺杂苯甲胺混合维钙钛矿薄膜形貌及光学性能 |
| 3.3.3 混合维钙钛矿太阳电池的光伏性能和内部复合动力学研究 |
| 3.3.4 铯阳离子掺杂苯甲胺混合维钙钛矿薄膜及器件稳定性研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 基于溴组分调控的新型混合维钙钛矿材料设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 材料与试剂 |
| 4.2.2 器件制备 |
| 4.2.3 测试与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 乙醇胺混合维钙钛矿晶体结构研究 |
| 4.3.2 乙醇胺混合维钙钛矿薄膜光学性质研究 |
| 4.3.3 乙醇胺混合维钙钛矿薄膜表面形貌表征 |
| 4.3.4 乙醇胺混合维钙钛矿薄膜内部复合动力学研究 |
| 4.3.5 乙醇胺混合维钙钛矿太阳电池光伏性能表征 |
| 4.3.6 乙醇胺混合维钙钛矿薄膜及器件稳定性研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 基于卤化铵盐的高性能混合维钙钛矿材料设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 材料与试剂 |
| 5.2.2 器件制备 |
| 5.2.3 测试与表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 卤化铵盐混合维钙钛矿晶体结构表征 |
| 5.3.2 卤化铵盐混合维钙钛矿元素化学状态表征 |
| 5.3.3 卤化铵盐混合维钙钛矿薄膜形貌表征 |
| 5.3.4 卤化铵盐混合维钙钛矿光学性质研究及内部复合表征 |
| 5.3.5 卤化铵盐混合维钙钛矿太阳电池光伏性能表征 |
| 5.3.6 卤化铵盐混合维钙钛矿薄膜和器件稳定性研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 混合维钙钛矿材料中卤化铵盐的钝化作用研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 材料与试剂 |
| 6.2.2 器件制备 |
| 6.2.3 测试与表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 准二维钙钛矿晶体结构及薄膜形貌表征 |
| 6.3.2 准二维钙钛矿薄膜光学性质研究和内部复合表征 |
| 6.3.3 准二维钙钛矿内部缺陷密度表征 |
| 6.3.4 准二维钙钛矿太阳电池光伏性能表征 |
| 6.3.5 准二维钙钛矿薄膜和器件稳定性研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 基于卤化低维钙钛矿界面修饰的高性能器件设计 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验部分 |
| 7.2.1 材料与试剂 |
| 7.2.2 器件制备 |
| 7.2.3 测试与表征 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 卤化铵盐分子结构、卤化低维钙钛矿结构及晶体结构表征 |
| 7.3.2 基于卤化低维钙钛矿薄膜光学性质研究及元素化学状态表征 |
| 7.3.3 基于卤化低维钙钛矿薄膜形貌表征 |
| 7.3.4 基于卤化低维钙钛矿薄膜内部复合及缺陷密度表征 |
| 7.3.5 基于卤化低维钙钛矿的太阳电池光伏性能表征 |
| 7.3.6 基于卤化低维钙钛矿的薄膜和器件稳定性的研究 |
| 7.4 本章小结 |
| 第8章 总结与展望 |
| 8.1 全文总结 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（6）网格筋筒形零件旋压成形机理与控制优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 旋压工艺的分类、研究现状和工艺特性 |
| 1.2.1 旋压工艺的分类 |
| 1.2.1.1 普通旋压工艺 |
| 1.2.1.2 强力旋压工艺 |
| 1.2.2 旋压工艺国内外研究现状 |
| 1.2.2.1 旋压成形工艺方式及机理研究现状 |
| 1.2.2.2 旋压材料的发展和相关旋压工艺研究 |
| 1.2.3 旋压的工艺要素及与其它加工工艺的对比 |
| 1.2.3.1 旋压技术工艺要素 |
| 1.2.3.2 旋压工艺与其它加工工艺的对比 |
| 1.3 旋压工艺的应用现状和设备的发展现状 |
| 1.3.1 旋压工艺的应用现状 |
| 1.3.1.1 旋压技术在航天、航空的应用 |
| 1.3.1.2 旋压技术在其它军工及民品的应用 |
| 1.3.2 旋压工艺设备的发展现状 |
| 1.3.2.1 国外旋压设备的研究现状 |
| 1.3.2.2 国内旋压设备研究现状 |
| 1.4 内筋筒形零件旋压及工艺参数控制优化研究现状 |
| 1.4.1 内筋筒形零件旋压研究现状 |
| 1.4.2 旋压工艺参数控制优化研究现状 |
| 1.5 主要研究内容 |
| 第2章 网格筋强力旋压成形机理及建模分析 |
| 2.1 网格筋壳体金属塑性变形机理 |
| 2.1.1 网格筋壳体金属晶内变形机理 |
| 2.1.2 网格筋壳体金属晶间变形机理 |
| 2.2 网格筋强力旋压成形机理 |
| 2.2.1 网格筋金属流动模型 |
| 2.2.2 网格筋筒形件旋压的应力应变 |
| 2.2.3 网格内筋筒形件旋压力分析 |
| 2.3 网格筋ABAQUS旋压仿真建模分析 |
| 2.3.1 网格筋仿真类型分析 |
| 2.3.2 ABAQUS软件仿真求解器选择分析 |
| 2.3.3 显示动力学分析理论基础 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 网格筋零件旋压成形数值模拟研究 |
| 3.1 网格筋筒形零件技术参数及旋压方案 |
| 3.1.1 网格筋筒形零件技术参数 |
| 3.1.2 网格筋筒形零件旋压方案制定 |
| 3.2 网格筋筒形零件旋压成形数值模拟 |
| 3.2.1 网格筋筒形零件仿真建模 |
| 3.2.1.1 仿真几何模型 |
| 3.2.1.2 仿真网格划分 |
| 3.2.1.3 仿真接触条件与摩擦模型 |
| 3.2.1.4 仿真材料模型 |
| 3.2.1.5 仿真工艺参数的确定 |
| 3.2.2 网格筋旋压仿真成形试验 |
| 3.2.2.1 网格筋零件旋压正交试验方案设计 |
| 3.2.2.2 网格筋仿真成形试验 |
| 3.2.2.3 网格内筋仿真成形典型数据样例分析 |
| 3.3 不同工艺参数对网格筋零件成形质量的影响分析 |
| 3.3.1 网格筋零件旋压成形质量评价指标 |
| 3.3.2 旋轮工作角对质量评价指标的影响趋势 |
| 3.3.2.1 旋轮工作角对纵向内筋成形的影响 |
| 3.3.2.2 旋轮工作角对横向内筋成形的影响 |
| 3.3.2.3 旋轮工作角对壳体内壁椭圆度成形的影响 |
| 3.3.3 减薄率对质量评价指标的影响趋势 |
| 3.3.3.1 减薄率对纵向内筋成形的影响 |
| 3.3.3.2 减薄率对横向内筋成形的影响 |
| 3.3.3.3 减薄率对壳体内壁椭圆度成形的影响 |
| 3.3.4 进给速度对质量评价指标的影响趋势 |
| 3.3.4.1 进给速度对纵向内筋成形的影响 |
| 3.3.4.2 进给速度对横向内筋成形的影响 |
| 3.3.4.3 进给速度对壳体内壁椭圆度成形的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 网格筋零件工艺参数控制优化研究 |
| 4.1 网格筋零件正交试验优化设计 |
| 4.1.1 正交试验设计概述 |
| 4.1.2 网格筋零件正交试验 |
| 4.1.2.1 正交试验方案设计 |
| 4.1.2.2 网格筋零件正交试验结果分析 |
| 4.2 网格筋零件灰色关联度分析控制研究 |
| 4.2.1 灰色系统关联度分析法简述 |
| 4.2.2 灰色关联度无量纲化处理 |
| 4.2.3 灰色关联系数和灰关联度 |
| 4.2.4 网格筋旋压工艺参数水平数值的灰关联度 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 网格筋零件旋压成形试验研究 |
| 5.1 旋压成形试验设备及工装设计 |
| 5.1.1 试验旋压设备的选型及技术参数 |
| 5.1.1.1 旋压试验网格筋零件目标尺寸及相应毛坯设计 |
| 5.1.1.2 网格筋壳体旋压力的计算 |
| 5.1.1.3 旋压试验的设备技术参数 |
| 5.1.2 网格筋旋压工装的设计 |
| 5.1.2.1 分瓣芯模的理论设计 |
| 5.1.2.2 分瓣芯模的优化设计及制造 |
| 5.1.2.3 旋轮的设计及制造 |
| 5.2 网格筋筒形零件旋压成形试验 |
| 5.2.1 网格筋筒形零件室温旋压试验 |
| 5.2.2 网格筋筒形零件加热旋压试验 |
| 5.2.2.1 毛坯材料5A06热加工图 |
| 5.2.2.2 网格筋壳体零件热旋试验 |
| 5.3 网格筋零件质量控制分析 |
| 5.3.1 网格筋壳体加强筋高度及成形尺寸技术分析 |
| 5.3.2 带内筋壳体成形精度及表面粗糙度控制技术分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 零件外形尺寸光学测量及壳体性能分析 |
| 6.1 网格筋零件外形尺寸光学测量 |
| 6.1.1 网格筋零件外形尺寸光学测量需求 |
| 6.1.2 网格内筋人工光学测量实验验证 |
| 6.1.3 网格内筋光学自动测量方式探索研究 |
| 6.2 网格筋零件壳体性能分析 |
| 6.2.1 壳体力学性能分析 |
| 6.2.2 壳体微观组织分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 主要创新点 |
| 7.3 不足与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（7）柔性电极的可印刷制备、功能调控及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 传统透明导电氧化物 |
| 1.3 新型透明电极材料 |
| 1.3.1 金属纳米线 |
| 1.3.2 金属薄膜及金属网格 |
| 1.3.3 碳纳米管(CNTs) |
| 1.3.4 石墨烯(Graphene) |
| 1.3.5 导电聚合物 |
| 1.4 透明电极薄膜制备工艺 |
| 1.5 本论文研究的主要目的及内容 |
| 1.6 参考文献 |
| 第二章 喷墨印刷大面积柔性电路 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料与设备 |
| 2.2.2 实验方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 工艺参数优化 |
| 2.3.2 基底修饰与处理 |
| 2.3.3 优化后的银线的微观形貌表征 |
| 2.3.4 喷墨印刷大面积柔性电路 |
| 2.3.5 形状、尺寸调控 |
| 2.3.6 基底表面能调控 |
| 2.3.7 电学与力学性能表征 |
| 2.4 本章小结 |
| 2.5 参考文献 |
| 第三章 高性能PEDOT:PSS电极及其在柔性透明全固态超级电容器中的应用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 PEDOT:PSS电极制备 |
| 3.2.2 全固态超电容制备 |
| 3.2.3 性能表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 墨水配制及形貌调控 |
| 3.3.2 电极光电性能表征 |
| 3.3.3 电极力学柔韧性表征 |
| 3.3.4 电化学性能测试与表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 3.5 参考文献 |
| 第四章 喷墨印刷基于PEDOT:PSS/银网格电极的柔性透明精致的能量存储器件 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 PEDOT:PSS/银网格制备 |
| 4.2.2 全固态超电容制备 |
| 4.2.3 性能测试与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 光电性能及形貌优化与表征 |
| 4.3.2 抗氧化能力测试 |
| 4.3.3 力学柔性测试 |
| 4.3.4 喷墨打印精致图案化的PEDOT:PSS/银网格 |
| 4.3.5 柔性透明全固态超电容及性能表征 |
| 4.4 本章小结 |
| 4.5 参考文献 |
| 第五章 高性能可拉伸透明银纳米线电极 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 银纳米线合成 |
| 5.2.2 可拉伸透明电极制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 银纳米线形貌优化及机理探究 |
| 5.3.2 银纳米线表征 |
| 5.3.3 可拉伸透明银纳米线电极制备 |
| 5.3.4 电极光电性能表征 |
| 5.3.5 电极形貌表征 |
| 5.3.6 导电层对基底附着力测试 |
| 5.3.7 柔性及拉伸性测试 |
| 5.3.8 拉伸机理探究 |
| 5.3.9 化学稳定性测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 5.5 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 附录1 获奖情况 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文 |
| 附录3 攻读博士学位期间申请的专利 |
| 附录4 攻读博士学位期间参加的科研项目 |
| 致谢 |
（8）大面积苯并噻吩类晶态薄膜的制备及其高性能场效应晶体管的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机场效应晶体管概述 |
| 1.1.1 OFET的基本结构 |
| 1.1.2 OFET的工作原理以及关键参数 |
| 1.2 p型有机小分子半导体材料 |
| 1.2.1 稠环芳香烃有机半导体材料 |
| 1.2.2 含硫杂稠环及其衍生物有机半导体材料 |
| 1.2.3 苯并噻吩类有机半导体材料 |
| 1.3 有机半导体晶态薄膜在场效应晶体管中的应用研究进展 |
| 1.3.1 有机晶态薄膜制备方法 |
| 1.3.2 有机晶态薄膜场效应晶体管的发展状况 |
| 1.4 课题研究的思路和主要内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 通过抑制“咖啡环”效应大面积可控生长具有二维生长模式的C10-BTBT晶态薄膜及其性能的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 基底的清洗与准备 |
| 2.2.3 C10-BTBT二维晶态薄膜的制备 |
| 2.2.4 C10-BTBT二维晶态薄膜形貌与晶体质量表征 |
| 2.2.5 基于C10-BTBT二维晶态薄膜的OFET制备与性能表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 溶液浓度对C10-BTBT三维带状晶体薄膜的形貌影响的探究 |
| 2.3.2 C10-BTBT二维晶态薄膜的形貌表征和晶体质量的探究 |
| 2.3.3 通过浓度调控来研究C10-BTBT二维薄膜的演变过程 |
| 2.3.4 C10-BTBT二维薄膜生长机理的探究 |
| 2.3.5 基于二维生长模式下C10-BTBT晶体的场效应晶体管器件性能研究 |
| 2.3.6 晶体二维生长模式的普适性实验研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 氮气气流引导快速制备C8-BTBT晶态阵列薄膜以及高性能场效应晶体管的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 基底的清洗与准备 |
| 3.2.3 C8-BTBT二维晶态薄膜的制备 |
| 3.2.4 C8-BTBT二维晶态薄膜形貌与晶体质量表征 |
| 3.2.5 基于C8-BTBT二维晶态薄膜的OFET制备与性能表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 C8-BTBT晶态阵列薄膜的形貌表征和晶体质量的探究 |
| 3.3.2 聚合物分子量对C8-BTBT晶态阵列薄膜质量的影响 |
| 3.3.3 聚合物浓度对C8-BTBT晶态阵列薄膜质量的影响 |
| 3.3.4 氮气气流大小对C8-BTBT晶态阵列薄膜质量的影响 |
| 3.3.5 基于C8-BTBT晶态阵列薄膜的场效应晶体管器件性能研究 |
| 3.3.6 基于C8-BTBT晶态阵列薄膜的场效应晶体管器件稳定性研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 结论 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论着、论文 |
| 致谢 |
（9）大气压微波等离子体炬工作平台控制系统的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 大气压等离子体概述 |
| 1.1.1 等离子体的基本概念与分类 |
| 1.1.2 大气压等离子体发生装置及应用 |
| 1.2 等离子体装置控制系统发展概述 |
| 1.3 本文研究背景及内容 |
| 1.3.1 研究背景 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 2 大气压微波等离子体炬工作平台 |
| 2.1 微波能量的产生 |
| 2.2 微波能量的传输、阻抗匹配及等离子体激励 |
| 2.3 大气压微波等离子体炬的气流量控制 |
| 3 大气压微波等离子体炬控制系统的设计 |
| 3.1 总体方案 |
| 3.2 LabVIEW与仪器控制 |
| 3.3 系统功能模块 |
| 3.3.1 等离子体炬发生装置控制模块 |
| 3.3.2 质量流量控制器模块 |
| 3.3.3 微波功率源控制模块 |
| 3.3.4 图像采集模块 |
| 3.3.5 控制系统前面板 |
| 4 微波等离子体炬控制系统的实现及其在CO_2放电研究中的应用 |
| 4.1 微波等离子体炬控制系统的实现 |
| 4.2 利用大气压微波等离子体炬产生CO_2等离子体放电的研究 |
| 4.2.1 大气压微波CO_2等离子体炬放电形态的特性分析 |
| 4.2.2 大气压微波CO_2等离子体炬发射光谱的初步诊断 |
| 4.3 后续工作 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（10）柔性单晶硅/低维纳米材料及电子器件的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 柔性电子概述 |
| 1.2 柔性无机电子材料理论分析 |
| 1.3 柔性无机电子材料 |
| 1.3.1 三维体相柔性单晶硅材料 |
| 1.3.2 二维纳米片柔性石墨烯材料 |
| 1.3.3 一维柔性银纳米线材料 |
| 1.4 本论文研究意义和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 柔性单晶硅刻蚀机理研究及微纳复合结构调控 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 材料和试剂 |
| 2.2.2 柔性单晶硅材料制备 |
| 2.2.3 金字塔、纳米线及其复合结构的制备 |
| 2.2.4 柔性单晶硅材料上制备多种微纳结构及其复合结构 |
| 2.2.5 表征方法 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 柔性单晶硅材料形貌特征及其刻蚀机理研究 |
| 2.3.2 金字塔、纳米线及其复合结构的形貌特征及其刻蚀机理研究 |
| 2.3.3 柔性单晶硅材料及其复合结构的制备形貌表征及其减反射特性 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 柔性插指状石墨烯超级电容器的制备及性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 材料和试剂 |
| 3.2.2 石墨烯墨水制备 |
| 3.2.3 喷墨印刷石墨烯图案 |
| 3.2.4 石墨烯导电薄膜制备 |
| 3.2.5 柔性石墨烯基超级电容器制备 |
| 3.2.6 表征方法 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 石墨烯墨水性能表征 |
| 3.3.2 喷墨印刷石墨烯图案 |
| 3.3.3 石墨烯薄膜导电性 |
| 3.3.4 柔性石墨烯基超级电容器表征和性能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 柔性氧化石墨烯湿度传感器制备及应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 材料和试剂 |
| 4.2.2 石墨烯墨水制备 |
| 4.2.3 湿度传感器的制备 |
| 4.2.4 表征方法 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 GO湿度传感器感应水分子原理 |
| 4.3.2 GO湿度传感器形貌表征 |
| 4.3.3 GO湿度传感器的结构参数优化 |
| 4.3.4 GO湿度传感器检测呼吸 |
| 4.3.5 智能呼吸睡眠检测仪的制备 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 柔性透明银纳米线加热器的制备及其失效机理 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 材料和试剂 |
| 5.2.2 柔性透明加热器的制备 |
| 5.2.3 表征方法 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 柔性透明AgNWs加热器的性能表征 |
| 5.3.2 AgNWs加热器的失效形貌分析 |
| 5.3.3 AgNWs加热器的失效模型分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 全文总结与展望 |
| 6.1 本论文取得的主要成果及意义 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
四、载流金属网格中冷原子的动力学行为（论文参考文献）
- [1]高性能钙钛矿太阳电池及钙钛矿/硅四端叠层电池研究[D]. 庞商政. 西安电子科技大学, 2021
- [2]印刷氧化锆绝缘层及柔性薄膜晶体管研究[D]. 蔡炜. 华南理工大学, 2020(01)
- [3]应用于有机电致发光器件的复合透明电极的结构设计与性能优化研究[D]. 刘云飞. 吉林大学, 2020(08)
- [4]仿生银网络结构柔性透明导电电极制备及其性能研究[D]. 董关平. 华南理工大学, 2020(02)
- [5]新型钙钛矿材料结构设计及其对器件性能影响研究[D]. 刘国震. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [6]网格筋筒形零件旋压成形机理与控制优化研究[D]. 梁嵬. 长春理工大学, 2020(01)
- [7]柔性电极的可印刷制备、功能调控及应用研究[D]. 程涛. 南京邮电大学, 2018(02)
- [8]大面积苯并噻吩类晶态薄膜的制备及其高性能场效应晶体管的研究[D]. 王伟. 苏州大学, 2019(04)
- [9]大气压微波等离子体炬工作平台控制系统的设计与实现[D]. 田野松. 大连理工大学, 2019(02)
- [10]柔性单晶硅/低维纳米材料及电子器件的制备及性能研究[D]. 裴志彬. 中国科学技术大学, 2017(11)